中证网讯 三安光电6月16日晚公告,公司拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司,投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,投资总额160亿元。公司表示将在两年内完成一期项目建设并实现投产,四年内完成二期项目建设并实现投产,六年内实现达产。
公告显示,三安光电第三代半导体产业园项目用地面积约1000亩,将包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。三安光电表示,该项目有广阔的市场需求,现处于发展阶段,投资该项目有利于提升公司行业地位及核心竞争力。
资讯编辑:周青霞 021-66896803 资讯监督:乐卫扬 021-2609382 资讯投诉:陈杰 021-26093100免责声明:本文来源于网络,版权归原作者所有,且仅代表原作者观点,转载并不意味着Mysteel赞同其观点,或证明其内容的真实性、完整性与准确性,本文所载信息仅供参考,不作为直接决策建议。转载仅为学习与交流之目的,如无意中侵犯您的合法权益,请及时与Mysteel 021-26093490联系与处理